[发明专利]一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811462150.9 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109589799B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 成会玲;胡德琼;刘迎梅;赵莉;陈树梁;王朝武;陈云龙;何易;字富庭;胡显智 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B01D67/00 分类号: B01D67/00;B01D69/12;B01D61/14;B01J20/26;B01J20/30;C02F1/44;C02F1/28;C02F101/20
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摘要: 发明公开一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法,属于膜材料科学技术领域。本发明所述方法以镉(II)离子为模板离子,化合物N‑(乙基吡咯烷基)‑2‑甲基丙烯酰胺为功能单体,市售膜为支撑膜,以金属离子印迹技术为手段,制备得到镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM。本发明制备得到的镉(II)离子印迹复合膜对镉(II)离子具有较好的吸附能力和优异的印迹效果。
搜索关键词: 一种 ii 离子 印迹 复合 制备 方法
【主权项】:
1.一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)预聚合溶液的配制:将镉(II)离子完全溶解在致孔剂中,然后加入N‑(乙基吡咯烷基)‑2‑甲基丙烯酰胺振荡混匀,加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈,摇匀,超声5~10min,形成预聚合溶液;所述镉(II)离子、N‑(乙基吡咯烷基)‑2‑甲基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2~8):(10~50);(2)Cd(II)‑MICM的制备:将基膜置于步骤(1)得到的预聚合溶液中,常温浸泡0.5~60min,最后50~70℃反应12~24h,形成镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM;(3)Cd(II)‑MICM的洗脱:将步骤(2)得到的镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM用甲醇/醋酸混合溶液洗脱模板离子,再用甲醇洗至中性,真空干燥后得到洗脱后的镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM。
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