[发明专利]一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法有效
| 申请号： | 201811462180.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111251163B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 史训达;林霖;刘云霞;周莹莹;徐继平;王磊;李奇;杨少昆;程凤伶;刘佐星 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B51/00;B24B57/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法。该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤、中抛步骤和精抛步骤分别按四个阶段进行，其中，第一阶段至第三阶段均采用抛光液抛光，第四阶段均采用纯水进行抛光；中抛步骤和精抛步骤中所采用的研磨剂为平均粒径在3‑80nm的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 获得 亲水性 表面 抛光 硅片 加工 方法 | ||
【主权项】：
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