[发明专利]图像传感器结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811462570.7 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109585481B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 刘斌武;张超 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 佟婷婷
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种图像传感器结构及其制备方法,制备包括如下步骤:提供基底结构;于基底结构上形成绝缘层;于绝缘层中形成若干个间隔排布的隔离槽结构;于形成有隔离槽结构的绝缘层上形成封口层,封口层至少封闭隔离槽结构的开口以使得于隔离槽结构中形成空气腔;以及至少于相邻空气腔之间的绝缘层中形成滤光结构。通过上述方案,本发明的图像传感器结构及其制备方法,在滤光结构之间形成空气腔结构,可以使入射光由光密介质进入光疏介质,从而在界面处形成全反射,进而有效的改善相互滤光结构之间接收的光的干扰,从而可以有效降低传感器的串扰,提高量子效率。
搜索关键词: 图像传感器 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供基底结构;于所述基底结构上形成绝缘层;于所述绝缘层中形成若干个间隔排布的隔离槽结构;于形成有所述隔离槽结构的所述绝缘层上形成封口层,所述封口层至少封闭所述隔离槽结构的开口以使得于所述隔离槽结构中形成空气腔;以及至少于相邻所述空气腔之间的所述绝缘层中形成滤光结构。
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