[发明专利]用于图像传感器的光刻在审
| 申请号： | 201811464969.9 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585482A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 佟璐;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及用于图像传感器的光刻。本公开提出了一种图像传感器光刻方法，包括离子注入步骤，通过执行至少两次曝光以便以交叠的方式执行深光电二极管隔离结构离子注入，使得通过所述至少两次曝光而形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域的交叠而形成期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域。其中，通过所述至少两次曝光中的每一次曝光形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸均大于期望形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 隔离结构 离子注入区域 图像传感器 两次曝光 光刻 交叠 离子注入步骤 一次曝光 期望 离子 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器光刻方法，其特征在于，包括：离子注入步骤，通过至少两次曝光以便以交叠的方式执行深光电二极管隔离结构离子注入，使得通过所述至少两次曝光而形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域交叠形成期望的深光电二极管隔离结构离子注入区域，并且其中，通过所述至少两次曝光中的每一次曝光形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸均大于期望形成的深光电二极管隔离结构离子注入区域中的间隔尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
