[发明专利]一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法在审

专利信息
申请号: 201811468313.4 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109545900A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 皇韶峰 申请(专利权)人: 江苏中宇光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 王勇
地址: 221699 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法,包括以下步骤:S1前处理;S2表面热氧化:对经前处理后的硅片,通过正常氨气预处理,第一层镀膜和第二层镀膜结束后,进行氢气等离子沉积;S3后处理,所述前处理包括表面制绒、扩散制结、周边刻蚀和去磷硅玻璃清洗,所述后处理包括沉积减反射膜、印刷电极和烧结,所述氨气预处理是利用通入氨气,经高频店里后对硅片表面进行预处理;其中氨气预清洗参数设置为:沉积温度300‑400℃,功率为4200‑5000W,氨气流量为4‑6l/min,压力1600‑1700mTor,占空比4:35ms,清洗时间10‑18s。该太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法,能够提供良好的钝化效果,大大提升了电池的性能。
搜索关键词: 硅片 太阳能电池片 背表面 前处理 钝化 沉积 氨气 氨气预处理 后处理 镀膜 清洗 预处理 表面热氧化 氢气等离子 去磷硅玻璃 氨气流量 表面制绒 参数设置 钝化效果 硅片表面 减反射膜 扩散制结 印刷电极 烧结 第一层 预清洗 占空比 刻蚀 电池
【主权项】:
1.一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、前处理;S2、表面热氧化:对经前处理后的硅片,通过正常氨气预处理,第一层镀膜和第二层镀膜结束后,进行氢气等离子沉积;S3、后处理。
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