[发明专利]电子设备有效
| 申请号： | 201811468366.6 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110010756B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李泰荣;李哉衡;郑星雄;北川英二 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司;铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种电子设备可以包括半导体存储器，该半导体存储器可以包括：第一磁性层；第二磁性层；以及间隔层，其介于第一磁性层与第二磁性层之间，其中，间隔层包括第一层、第二层以及介于第一层与第二层之间的中间层，其中，第一层和第二层中的每个层包括氧化物或氮化物，或者氧化物与氮化物的组合，中间层包括包含[Ru/x] |
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| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：第一磁性层；第二磁性层；以及间隔层，其介于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间，其中，所述间隔层包括第一层、第二层以及介于所述第一层与所述第二层之间的中间层，其中，所述第一层和所述第二层中的每个层包括氧化物或氮化物，或者氧化物与氮化物的组合，所述中间层包括包含[Ru/x]n或[x/Ru]n的多层结构，其中x包括金属、氧化物或氮化物，或者金属、氧化物和氮化物的组合，且其中n表示1或更大的整数。
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