[发明专利]后镇流式纵向NPN晶体管在审
| 申请号： | 201811469111.1 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109920849A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | A·A·萨尔曼;G·马图尔;R·冢原 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种后镇流式纵向NPN晶体管。所公开的示例提供具有后镇流式NPN双极晶体管(140)的集成电路(100)和制造方法，该双极晶体管(140)包括在P掺杂区(118)中的n型发射极(129)，具有面向发射极(129)的第一侧的p型基极(130)，以及与基极(130)的第二侧横向间隔开的n型集电极(128)，其中集电极(128)包括面向基极(130)的第二侧的第一侧，相对的第二侧，硅化的第一集电极部分(136)和硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，用不导电的电介质(134)覆盖该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)在第一集电极部分(136)与集电极(128)的第二侧之间横向延伸，以当纵向NPN在高电压下导通时，经由深N掺杂区(120)提供用于横向击穿和低电流传导的后侧镇流。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极 镇流 硅化物 阻挡 电介质 双极晶体管 横向间隔 横向延伸 不导电 低电流 发射极 高电压 导通 硅化 击穿 传导 集成电路 覆盖 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路即IC，其包括：半导体结构；N掺杂层，其位于所述半导体结构的中部中；P掺杂层，其位于所述半导体结构中的所述N掺杂层上方；N掺杂区，其位于所述半导体结构的上部中，所述N掺杂区包括第一侧和第二侧；P掺杂区，其位于所述半导体结构的所述上部中，所述P掺杂区包括第一侧和第二侧，所述第二侧沿着所述N掺杂区的所述第一侧；深N掺杂区，其电气连接到所述N掺杂区的所述第二侧，所述深N掺杂区从所述半导体结构的所述上部向下延伸通过所述P掺杂层并且进入所述N掺杂层中；以及NPN双极晶体管，其包括：n型发射极，其位于所述P掺杂区的上部中；p型基极，其在所述发射极与所述P掺杂区的所述第二侧之间的所述P掺杂区的所述上部中与所述发射极横向间隔开；以及n型集电极，其在所述N掺杂区的上部中与所述基极横向间隔开，所述集电极包括第一集电极部分，位于所述第一集电极部分和所述深N掺杂区之间的第二集电极部分，位于所述第一集电极部分的上表面上的导电硅化物集电极触点，以及位于所述第二集电极部分的上表面上的不导电电介质。
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