[发明专利]一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法在审
| 申请号： | 201811470601.3 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109712970A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 田野 | 申请（专利权）人： | 贵州航天控制技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 葛鹏 |
| 地址： | 550009 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，包括：SiP模块内部基板采用8层高密度PCB器件内埋工艺，内部互联采用盲埋孔设计实现，其中L2、L3、L5、L7为主走线层，无源器件内埋在L4层，首先，在基板的核心介质层上压接金属层，之后在金属层上制作图像，形成L4和L5层；其次，在L4、L5层上下压接介质材料；再次，在L4层之上的介质层SMT焊接无源器件；再次，继续向上和向下形成两层金属层，形成L3层、L6层，重复上述过程制造L2层、L7层及L1、L8层，最后按照PCB工艺完成钻孔、阻焊等工艺。本发明的优点是：实现简单，制备的SLD、LD光源SiP模块与传统方案相比电路面积缩减40％。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 制备 无源器件 内埋 压接 核心介质 介质材料 面积缩减 内部基板 向下形成 介质层 盲埋孔 走线层 基板 两层 阻焊 钻孔 电路 互联 图像 重复 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，包括：SiP模块内部基板采用8层高密度PCB器件内埋工艺，内部互联采用盲埋孔设计实现，其中L2、L3、L5、L7为主走线层，无源器件内埋在L4层，器件内部工艺流程如下：首先，在基板的核心介质层上压接金属层，之后在金属层上制作图像，形成L4和L5层；其次，在L4、L5层上下压接介质材料；再次，在L4层之上的介质层SMT焊接无源器件；再次，继续向上和向下形成两层金属层，形成L3层、L6层，重复上述过程制造L2层、L7层及L1、L8层，最后按照PCB工艺完成钻孔、阻焊等工艺。
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