[发明专利]双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构及其制备方法

摘要

本发明涉及的一种双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层，非晶硅本征层的外侧均设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极，背面的非晶硅本征层和TCO导电膜之间设有两层掺杂浓度不同的非晶硅掺杂层，即第一层掺杂层和第二层掺杂层，所述第一层掺杂层设置在靠近非晶硅本征的一侧，所述第二层掺杂层设置在靠近TCO导电膜的一侧。本发明背光面非晶硅掺杂层采用双层非晶硅掺杂层，第一层采用0.5%‑1%的掺杂浓度，第二层采用1%‑4%的掺杂浓度，既增加了薄膜的导电性，又不降低薄膜的透过率，提升HJT太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层（2），正面和背面的非晶硅本征层（2）的外侧均设有TCO导电膜（7），所述TCO导电膜（7）的外侧设有若干Ag电极（8），其特征在于：所述N型晶体硅片（1）的背面的非晶硅本征层（2）和TCO导电膜（7）之间设有两层掺杂浓度不同的非晶硅掺杂层，即第一层掺杂层（5）和第二层掺杂层（6），所述第一层掺杂层（5）设置在靠近非晶硅本征层（2）的一侧，所述第二层掺杂层（6）设置在靠近TCO导电膜（7）的一侧。