[发明专利]高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811472130.X | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109638094A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 | 申请（专利权）人： | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/076;H01L31/077;H01L31/20 |
| 代理公司： | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人： | 隋玲玲 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有多层非晶硅本征层；所述第二层非晶硅本征层（3）的外侧设有非晶硅掺杂层（4），所述非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（5），所述TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（6）。本发明的非晶硅本征层采用叠层，第一层采用纯硅烷沉积，有效了避免晶体硅/非晶硅界面初始沉积的外延生长，第二层采用高氢稀释的硅烷沉积，提高了第一层非晶硅的薄膜氢含量，同时增强了界面钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 非晶硅本征层 本征非晶硅 异质结电池 掺杂层 导电膜 第一层 钝化层 沉积 制备 硅烷沉积 界面钝化 外延生长 纯硅烷 晶体硅 电极 稀释 叠层 多层 高氢 薄膜 背面 | ||
【主权项】：
1.一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构，它包括N型晶体硅片（1），其特征在于：所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有多层非晶硅本征层；所述第二层非晶硅本征层（3）的外侧设有非晶硅掺杂层（4），所述非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（5），所述TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（6）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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