[发明专利]形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法有效
| 申请号： | 201811472347.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109346578B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为In |
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| 搜索关键词： | 形成 极性 氮化 量子 阱蓝光 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y，所述x值为0.1‑0.2之间，其厚度为![]()
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