[发明专利]一种太阳能电池结构及其制作方法在审
申请号: | 201811474297.X | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109378353A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 许晏铭;彭钰仁;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀;王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种太阳能电池结构及其制作方法,该太阳能电池结构除包括太阳能电池外延结构、衬底结构、电极结构外,还包括位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧的透明聚光结构,从而可以利用所述透明聚光结构聚集太阳能电池结构所在平面和所述透明聚光结构侧壁入射的太阳光线,将聚集后的光线传输至太阳能电池外延结构背离所述衬底结构的一侧,增加所述太阳能电池外延结构吸收光线的面积,提高所述太阳能电池外延结构的光线吸收量,从而提高所述太阳能电池结构的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池结构 太阳能电池 外延结构 衬底结构 聚光结构 透明 背离 光电转换效率 光线吸收量 电极结构 光线传输 所在平面 太阳光线 侧壁 入射 制作 申请 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池结构,其特征在于,包括:衬底结构;位于所述衬底结构第一侧的太阳能电池外延结构;位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧的透明聚光结构;位于所述太阳能电池外延结构背离所述衬底结构一侧,与所述太阳能电池外延结构电连接的电极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照半导体科技有限公司,未经厦门乾照半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811474297.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光电池用微流通道散热器
- 下一篇:一种硅基光栅化栅极太赫兹探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的