[发明专利]形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构

摘要

一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：‑提供单晶基材，其上表面覆盖有掩模层，该掩模层包括暴露上表面的至少一个开口，‑通过在开口中外延生长包含第一III族氮化物的第一层来填充开口，‑通过外延横向过生长，第一层进一步生长到开口上方和掩模层上，其中，至少一个开口具有顶表面，所述顶表面由形成平行于所述上表面的多边形的三个或更多个直边限定，并且多边形相对于所述单晶基材的晶格以允许所述第一层沿垂直于至少一个边的方向外延横向过生长的方式取向，从而形成细长结构。

主权项

1.一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：‑提供单晶基材(1)，其上表面(2)覆盖有掩模层(3)，该掩模层(3)包括暴露上表面(2)的至少一个开口(8)，‑通过在开口(8)中外延生长第一层(4)来填充开口(8)，该第一层(4)包含第一III族‑氮化物，‑通过外延横向过生长，第一层(4)进一步生长到开口(8)上方和掩模层(3)上，其中，至少一个开口(8)具有顶表面(9)，所述顶表面(9)由形成平行于上表面(2)的多边形的三个或更多个直边(10)限定，并且所述多边形相对于单晶基材(1)的晶格以允许第一层(4)沿垂直于至少一个边的方向外延横向过生长的方式取向，从而形成细长结构(5)。