[发明专利]一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器及探测方法

摘要

一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：探测器包括闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元所分别形成的层，闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元俯视均为矩形截面，且闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元的俯视矩形截面的面积相等；闪烁晶体阵列单元由复数个相互平行并无空隙且侧面相互紧贴的闪烁晶体条组成，闪烁晶体条均是长宽高一致的长方体；硅光电倍增管阵列单元是由M个硅光电倍增管阵列排列而成的俯视截面为矩形的阵列集合体。

主权项

1.一种减少硅光电倍增管用量的PET探测器，其特征在于：该探测器包括闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元所分别形成的层，该闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元俯视均为矩形截面，且闪烁晶体阵列单元和硅光电倍增管阵列单元的俯视矩形截面的面积相等；所述闪烁晶体阵列单元由复数个相互平行的闪烁晶体条组成，所述闪烁晶体条均是长宽高的规格两两一致的长方体；所述闪烁晶体条两两之间均设有反光材料或者闪烁晶体条表面镀有反光材料；所述硅光电倍增管阵列单元是由M个硅光电倍增管阵列排列而成的俯视截面为矩形的阵列集合体；该硅光电倍增管阵列单元中的N块被替换为高反射率材料块，所述高反射率材料块为利用与该硅光电倍增管阵列单元形状适配的模具一体成型或切割而成，该高反射率材料块是全部是均一的高反射率材料或者是面向闪烁晶体阵列单元的一面涂覆有高反射率材料，该高反射率材料块面向闪烁晶体阵列单元的一面的反射率不低于50％；M，N都是大于1的自然数，且M‑N≥1。