[发明专利]集成电路封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811476004.1 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110112115B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 侯上勇;黄松辉;黄冠育;胡宪斌;林于顺;黄贺昌;夏兴国;洪志杰;施应庆;高金福;魏文信;郭立中;吴集锡;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/075;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种集成电路封装件及其形成方法。该方法包括将集成电路管芯附接至第一衬底。形成伪管芯。伪管芯附接至第一衬底且与集成电路管芯相邻。在第一衬底上方并且在伪管芯和集成电路管芯周围形成密封剂。平坦化密封剂、伪管芯和集成电路管芯，密封剂的最上表面与伪管芯的最上表面和集成电路管芯的最上表面大致齐平。去除伪管芯的内部部分。伪管芯的剩余部分形成环形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：将集成电路管芯附接至第一衬底；形成伪管芯；将所述伪管芯附接至所述第一衬底，所述伪管芯与所述集成电路管芯相邻；在所述第一衬底上方并且在所述伪管芯和所述集成电路管芯周围形成密封剂；平坦化所述密封剂、所述伪管芯和所述集成电路管芯，所述密封剂的最上表面与所述伪管芯的最上表面和所述集成电路管芯的最上表面齐平；以及，去除所述伪管芯的内部部分，所述伪管芯的剩余部分形成环形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811476004.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三极管
- 下一篇：半导体封装件和形成半导体封装件的方法
