[发明专利]半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811476940.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109616405A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 江新泽;胡旭峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体刻蚀工艺真空腔体设备，用于半导体生产中的光刻胶剥离，所述刻蚀工艺真空腔体设备的光谱信号采集装置采集预设波长光谱信号，当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。本发明还提供了一种半导体刻蚀方法。本发明能将光刻胶完全剥离，避免光刻胶残留或光刻胶过刻蚀对其他器件结构产生破坏，进而避免对器件性能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 真空腔体 半导体刻蚀工艺 光刻胶剥离 波长光谱 刻蚀工艺 光刻胶 刻蚀 预设 光谱信号采集 半导体生产 光刻胶残留 器件结构 器件性能 设备停止 预设规则 过刻蚀 半导体 剥离 采集 | ||
【主权项】：
1.一种半导体刻蚀工艺真空腔体设备，用于半导体生产中的光刻胶剥离，其特征在于：所述刻蚀工艺真空腔体设备的光谱信号采集装置采集预设波长光谱信号，当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
