[发明专利]一种微米级氧化钴立方体的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811477445.3 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109695042A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 张瑞;任铁真;李拥军;岑向超;刘晓燕;闫升;石双;马飞龙 申请(专利权)人: 宁夏宝塔化工中心实验室(有限公司)
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 750002 宁夏回族自治*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明公开了一种微米级氧化钴立方体的制备方法,具体包括以下步骤:配置氯化胆碱和乙二醇低共熔溶剂,依次加入钴源和次亚磷酸钠,磁力搅拌形成均一溶液,在三电极体系中利用恒电位沉积,沉积结束后用纯水反复清洗沉积氧化钴的载体,于烘箱中干燥,得到微米级氧化钴立方体。本发明工艺简单,杂质含量低,制备大尺寸的晶体颗粒为研究晶体的生长机理提供了模型。
搜索关键词: 氧化钴 微米级 制备 沉积 烘箱 次亚磷酸钠 低共熔溶剂 恒电位沉积 三电极体系 磁力搅拌 反复清洗 晶体颗粒 均一溶液 氯化胆碱 生长机理 晶体的 乙二醇 钴源 配置 研究
【主权项】:
1.一种微米级氧化钴立方体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)按摩尔比2:1称取一定质量的氯化胆碱和乙二醇,在80‑100℃的烘箱中加热,形成均一透明的混合溶液;(2)按一定比例加入磷源和钴源,常温磁力搅拌直至形成均一溶液;(3)以上述溶液为电解液,以泡沫镍为载体,三电极体系以恒电位‑1.4V沉积3h;(4)沉积结束后将负载有样品的基底用去离子水反复洗涤,于60℃烘箱中干燥12h,得到微米级氧化钴立方体。
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