[发明专利]一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811477477.3 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN111269832A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 秦建华;邓鹏伟;姜雷;刘海涛 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种基于一次曝光圆台状微坑阵列芯片的制备方法。该制备方法主要利用按一定角度倾斜的匀速旋转可旋转平台,在其上对旋涂在基底(玻璃/硅片)上光刻胶进行曝光,然后显影,坚膜,最后用PDMS倒模,从而制备得到均一圆台状微坑阵列芯片。该芯片可以用于细胞固定,细胞成球培养,拟胚体形成等。该方法相较于现有微坑制备方法操作简单,只需要一次曝光,无需复杂操作,成功率高,批次差异小,能够实现较大的深宽比。
搜索关键词: 一种 基于 一次 曝光 圆台 状微坑 阵列 芯片 制备 方法
【主权项】:
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