[发明专利]一种超结器件结构、器件及制备方法有效
| 申请号： | 201811477951.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109801957B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王琳;王立新;宋李梅;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种超结器件结构、器件及制备方法，其中所述超结器件结构，包括：衬底第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极以及第一引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所述第二掺杂类型柱区位于两个所述第一掺杂类型柱区之间，所述第一栅极和所述第二栅极隔离，且分别设置在两个所述第一掺杂类型柱区的基区上方，所述第二掺杂类型柱区的顶端设置有用于引导电荷流向的第一引流区。本发明解决了现有技术在实现抗单粒子栅穿的同时带来的第一掺杂类型和第二掺杂类型柱区的电荷不平衡问题，提高了超结器件的动态特性，以及抗单粒子特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：衬底第一掺杂类型柱区、第二掺杂类型柱区、第一栅极、第二栅极以及第一引流区；所述第一掺杂类型柱区、所述第二掺杂类型柱区均设置在所述衬底上方，所述第二掺杂类型柱区位于两个所述第一掺杂类型柱区之间，所述第一栅极和所述第二栅极隔离，且分别设置在两个所述第一掺杂类型柱区的基区上方，所述第二掺杂类型柱区的顶端设置有用于引导电荷流向的第一引流区。
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