[发明专利]一种三维电子器件的料池制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811478508.7 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111267333B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李琦;杨炜沂;鞠小晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B29C64/10 | 分类号： | B29C64/10;B29C64/379;B29C64/40;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00;B33Y30/00;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维电子器件的料池制备方法和应用，属于三维成型与电子器件领域。具体为采用无模直写技术在料池中用牺牲材料构筑所需三维结构，料池由封装材料构成，在将牺牲材料去除后，封装材料内部留下相应的孔道结构，最后将形成的三维孔道金属化，形成三维的导电结构。该制备方法中封装材料为牺牲材料提供了支撑，可以制备复杂悬空的三维结构，大大降低了复杂三维电子器件的制作难度，提高了制备速度。对根据实际需求构造复杂的三维结构适应性强，解决了常规无模直写技术难以制备悬空结构的难题。根据封装材料的不同可实现柔性和非柔性电子器件的制作，可应用于制备天线、传感器、波导等电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电子器件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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