[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811479175.X | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111276406A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 范增焰;吕开敏;全昌镐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制造方法，该方法包括：提供支撑晶片层，于支撑晶片层上形成粘合剂层；将多个裸片粘合至粘合剂层表面，裸片具有接脚，接脚面对粘合剂层表面；于粘合剂层和裸片远离支撑晶片层的一侧形成预固化层，预固化层覆盖裸片；于预固化层远离支撑晶片层的一侧形成固化层；去除支撑晶片层和粘合剂层，暴露出裸片的接脚；于暴露出裸片的接脚的一侧表面形成重布线层，并于重布线层上形成球形接脚；打磨固化层至预定厚度；切割，形成扇出型晶圆级封装结构；其中，固化层与预固化层具有不同的热膨胀系数，且固化层与裸片具有相同的热膨胀系数。该方法生产的封装结构减小了在扇出型晶圆级封装工艺中晶圆的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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