[发明专利]一种探入式巨磁阻角度传感器及其加工工艺

摘要

一种探入式巨磁阻角度传感器及其加工工艺，包括支架壳，支架壳成一体式结构，其具体结构为：包括外圆盘，外圆盘中间设置有沉槽，沉槽处形成有接口板舱，接口板舱上设置穿孔，接口板舱底部向下延伸有与穿孔连通的连接槽，连接槽底部设置凸台，凸台底部的连接槽上延伸有卡舌；支架壳的接口板舱上安装接口板，接口板上方安装插座，插座外套置罩板壳，接口板的下方设置有柔性板，柔性板底部连接信号板，柔性板的底部和信号板同时卡在凸台的底面，信号板与卡舌配合卡紧，信号板底面安装有巨磁阻效应芯片，支架壳底部的连接槽外套置探头壳。只需保证巨磁阻效应芯片在桶形磁环内，安装省时省力，不受干扰、寿命长。