[发明专利]内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法有效
| 申请号： | 201811485879.8 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109652774B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 尚鹏;刘华松;庄克文;季一勤;邢宇哲 | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58;H05K9/00 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 周恒 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明属于电磁屏蔽实现技术领域，具体涉及一种内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法。该方法包含：(1)通过物理和化学方法清洗光学窗表面；(2)采用电子束蒸发方法生长制备Y |
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| 搜索关键词： | 内嵌式 金属网 电磁 屏蔽 光学 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内嵌式金属网栅的电磁屏蔽光学窗制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤1：在光学窗上生长制备Y2O3薄膜；步骤2：热处理镀膜后的光学窗，使Y2O3薄膜表面产生随机分布的网状裂纹；步骤3：在开裂的薄膜表面沉积金属膜，使沉积金属材料嵌入网状裂纹内；步骤4：采用等离子体大角度倾斜刻蚀方法，通过控制作用时间，去除基底表面金属层，仅保留裂纹内部嵌入的金属材料。
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