[发明专利]一种采用磁控溅射制备的Sr3有效

专利信息
申请号: 201811486615.4 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109628900B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 王霞;李培刚;唐为华 申请(专利权)人: 唐为华
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君;陈征
地址: 100086 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种采用磁控溅射制备Sr3Al2O6薄膜及其方法,所述方法具体为:将Sr3Al2O6陶瓷靶材通过磁控溅射的方式,在衬底的温度为300℃‑850℃的生长条件下,制备Sr3Al2O6薄膜。所述方法制备过程简单,易于实施,工艺可控性强,重复性好,靶材重复使用率高,生产成本低;所制得的Sr3Al2O6薄膜,结晶性好、致密性好、表面均匀。
搜索关键词: 一种 采用 磁控溅射 制备 sr base sub
【主权项】:
1.一种采用磁控溅射制备Sr3Al2O6薄膜的方法,其特征在于,将Sr3Al2O6陶瓷靶材通过磁控溅射的方式,在衬底的温度为300℃‑850℃的生长条件下,制备Sr3Al2O6薄膜。
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