[发明专利]半导体装置及半导体结构有效
| 申请号： | 201811486774.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110010680B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及半导体结构，上述半导体装置包括基板、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、源极、漏极和栅极堆叠结构；第一III‑V族化合物层设置于上述基板上；第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上；源极和漏极设置于第二III‑V族化合物层的相对侧边界上；栅极堆叠结构设置于第二III‑V族化合物层上，栅极堆叠结构包括第一栅极和第二栅极，第一栅极设置于第二III‑V族化合物层上；第二栅极设置于第一栅极上且与第一栅极电性绝缘，第二栅极电性耦接至源极。上述半导体装置可降低半导体装置的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一第一III‑V族化合物层，设置于所述基板上；一第二III‑V族化合物层，设置于所述第一III‑V族化合物层上；一源极和一漏极，设置于所述第二III‑V族化合物层的相对侧边界上；以及一栅极堆叠结构，设置于所述第二III‑V族化合物层上，其中所述栅极堆叠结构包括：一第一栅极，设置于所述第二III‑V族化合物层上；以及一第二栅极，设置于所述第一栅极上且与所述第一栅极电性绝缘，其中所述第二栅极电性耦接至所述源极。
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