[发明专利]一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件及制造方法在审
| 申请号： | 201811489003.0 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109616519A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周章渝;张青竹;王待强;陈雨青 | 申请（专利权）人： | 贵阳学院 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人： | 舒欣 |
| 地址： | 550005 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件及制造方法，它涉及效应晶体管技术领域。包括硅衬底、氧化物、浅槽隔离、浅槽隔离、轻掺杂漏区，硅衬底上设置有氧化物和浅槽隔离,氧化物上方设置有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区两侧分别设置有P+和N+,轻掺杂漏区内部设置有金属钨，金属钨内设置有功能函数层，功能函数层内有介质层和负电容。本发明阈值电压和功耗更低，使用H2退火，硅表面钝化，界面缺陷少，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 轻掺杂漏区 浅槽隔离 氧化物 功能函数层 晶体管器件 亚阈摆幅 硅衬底 金属钨 零碰撞 电离 退火 硅表面钝化 效应晶体管 界面缺陷 内部设置 阈值电压 介质层 电容 功耗 制造 | ||
【主权项】：
1.一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件，其特征在于，包括硅衬底、氧化物、浅槽隔离、浅槽隔离、轻掺杂漏区，硅衬底上设置有氧化物和浅槽隔离,氧化物上方设置有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区两侧分别设置有P+和N+,轻掺杂漏区内部设置有金属钨，金属钨内设置有功能函数层，功能函数层内有介质层和负电容。
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