[发明专利]压力传感器结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811490882.9 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109580077B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 刘斌;范亚明;朱璞成;陈诗伟;刘芹篁;黄蓉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06;G01L1/18;G01L19/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发;王锋
地址: 330000 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种压力传感器结构及其制作方法。所述压力传感器结构采用背压式倒装焊接结构,包括基座、盖帽和压敏组件等,所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内,所述基座上设置有导电图形,所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。本发明提供的压力传感器结构的传感精度高,可靠性好,适用于绝大部分非腐蚀性环境。
搜索关键词: 压力传感器 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种压力传感器结构,其特征在于包括基座、盖帽和压敏组件,所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内,所述基座上设置有导电图形,所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。
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