[发明专利]一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器在审

专利信息
申请号: 201811490967.7 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN109459869A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 金华伏安光电科技有限公司
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有半导体层,所述半导体层的上方设置有热膨胀材料层,所述热膨胀材料层的上方设置有石墨烯层;该基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,通过电磁波照射到石墨烯层,与石墨烯层发生共振,导致反射光谱中产生反射峰和石墨烯层表面增强电场,通过检测石墨烯层所加载的电压的变化,进行电磁波的检测;同时该基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器的半导体层可以与调控电压进行电连接,以便作为栅极,调控石墨烯层的介电常数;也可以通过改变热膨胀材料层的温度,可以改变该层的形变,从而调控石墨烯层的尺寸,进而调控石墨烯层的共振。
搜索关键词: 石墨烯层 强度调制器 电磁场 调控 石墨烯 磁电 热膨胀材料层 半导体层 衬底层 共振 电磁波照射 电场 表面增强 调控电压 反射光谱 介电常数 电磁波 电连接 反射峰 检测 形变 加载
【主权项】:
1.一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,包括衬底层(1),其特征在于:所述衬底层(1)的上方设置有半导体层(2),所述半导体层(2)的上方设置有热膨胀材料层(3),所述热膨胀材料层(3)的上方设置有石墨烯层(4)。
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