[发明专利]一种双F型纳米孔阵列及其调控圆二色性的方法在审
| 申请号： | 201811490970.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109298549A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王天堃;冯晓钰 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳光学领域，具体涉及一种双F型纳米孔阵列及其调控圆二色性的方法，该双F型纳米孔阵列由多个金属纳米单元结构按矩形周期阵列拼接构成，所述每个金属纳米单元结构由矩形金属纳米薄膜制成，其矩形金属纳米薄膜的中间形成中心对称的双F型纳米孔。由于左右旋圆偏振光照射在该结构上，产生的电场强度不同，导致了大的圆二色性出现，其中圆二色性最大达到了41％，并且该申请提出了基于双F型纳米孔阵列调控圆二色性的方法，该调控方法通过在结构中设置二氧化钒相变材料，改变结构所处的环境温度来调控圆二色性的大小，方法简单可行，节省资源，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 圆二色性 纳米孔阵列 调控 单元结构 金属纳米 矩形金属 纳米薄膜 二氧化钒 改变结构 节省资源 微纳光学 相变材料 圆偏振光 中心对称 周期阵列 纳米孔 拼接 照射 申请 | ||
【主权项】：
1.一种双F型纳米孔阵列，由多个金属纳米单元结构按矩形周期阵列拼接构成，其特征在于：所述每个金属纳米单元结构由矩形金属纳米薄膜(1)制成，其矩形金属纳米薄膜(1)的中间形成中心对称的双F型纳米孔(2)。
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