[发明专利]具有6.3T矫顽力的钴-萘环氮氧自由基分子磁体材料及其制备方法

摘要

具有6.3T矫顽力的钴‑萘环氮氧自由基分子磁体材料及其制备方法，所述分子磁体化学式为[Co(hfac)2(EtONapNIT)]n，式中n为1到正无穷的自然数。其制备方法是将六氟乙酰丙酮钴的正己烷悬浮液回流超过两小时，降温并加入EtONapNIT的二氯甲烷溶液反应，室温挥发几天后得到目标产物。所述分子磁体材料的制备方法简单，反应条件温和，产率高，具有很好的空气稳定性。配合物在零场下展现出慢磁驰豫行为，2 K时具有非常大的磁滞回环，矫顽场接近6.3T。这种具有大的矫顽场的分子磁体材料，可有效减少信息存储器件在环境微扰下产生的信息丢失情况，因此在高密度信息存储领域具有非常高的潜在应用价值。

主权项

1.一种具有6.3T矫顽力的钴‑萘环氮氧自由基分子磁体材料，其特征在于化学式为：[Co(hfac)₂(EtONapNIT)]_n，式中n为1到正无穷的自然数，hfac为六氟乙酰丙酮，EtONapNIT为‑(2‑乙氧基‑1‑萘基)‑4,4,5,5‑四甲基咪唑啉‑3‑氧化‑1‑氧基自由基；配合物结晶在正交晶系的P2₁2₁2₁空间群中，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，晶胞体积为Z＝4；。