[发明专利]一种N掺杂的多孔硅基复合材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201811491071.0 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN109728265B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 王敬;王冉;陈实;苏岳锋;吴锋 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种N掺杂的多孔硅基复合材料及其制备方法和用途,所述多孔硅基复合材料中的N来源为含有一个或多个氨烃基支链的有机硅氧烷单体,即来源于所述有机硅氧烷单体中的氨烃基支链,所述N元素的掺杂显著提高了该多孔硅基复合材料的导电性。所述多孔硅基复合材料在制备过程中任选地加入还原剂,所述还原剂的加入促进了由该有机硅氧烷单体为前驱体形成的硅氧化物的还原,使得生成的Si晶粒镶嵌在未还原的硅氧化物基质中,而该硅氧化物能够缓冲Si晶粒在充放电中的体积效应。所述多孔硅基复合材料在制备过程中经HF的刻蚀,在该复合材料内部形成大量的空隙,使其形成多孔硅基复合材料,同样起到缓冲体积效应的作用。
搜索关键词: 一种 掺杂 多孔 复合材料 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种N掺杂的多孔硅基复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:(1)将含氮硅氧烷单体与有机溶剂混合,得到混合体系;(2)向步骤(1)的混合体系中加入碱性催化剂或酸性催化剂,随后加入去离子水,进行水解缩合反应,任选地加入还原剂,待溶剂蒸干后得到固体粉末;(3)将步骤(2)的固体粉末置于还原气氛中,进行热处理;(4)将步骤(3)的热处理后的产物进行刻蚀处理,得到多孔硅基复合材料。
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