[发明专利]一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811492465.8 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109494567A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨浩军;王文杰;谢武泽;李沫;李俊泽;邓泽佳;廖明乐;罗惠文 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底及其上面包括下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层等在内的外延结构；外延结构上包含多个脊型部，每个脊型部从外延层顶部到达有源层以下，脊型部间的间隙以高阻、低热导率、低折射率物质填充，以使得各脊型部有源区相互隔离；然后在脊型部上部一一对应设置有欧姆接触电极，欧姆接触电极上设置有用于连接的顶电极。本发明提供的多脊型半导体激光器，可以实现各脊型部间电、光的相互独立，有效减小了脊间的热串扰，为获得大功率激光器提供了一种解决思路。 | ||
| 搜索关键词： | 脊型 半导体激光器 多脊 串扰 减小 欧姆接触电极 外延结构 源层 制备 大功率激光器 低折射率物质 一一对应设置 低热导率 上波导层 上限制层 下波导层 下限制层 顶电极 外延层 衬底 高阻 源区 填充 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器，其特征在于，至少包括衬底（2）和其上面的外延结构（3），外延结构（3）上形成有多个脊型部，脊型部上面均一一对应设置有欧姆接触电极（4），欧姆接触电极（4）上设置有用于多个欧姆接触电极（4）并联连接的顶电极（5），所述脊型部之间的间隙均填充有使得各脊型部有源区相互隔离的填充物（6）。
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