[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811494037.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111009575A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 周洛龙 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/808;H01L21/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的半导体器件包括：n‑型外延层，布置在衬底的第一表面上；p型区，布置在n‑型外延层上；n+型区，布置在p型区上；栅极，布置在n‑型外延层上；氧化膜，布置在栅极上；源电极，布置在氧化膜和n+型区上；以及漏电极，布置在衬底的第二表面上。栅极包括PN结部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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