[发明专利]编码型快闪存储器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811494625.2 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN110364198B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 白田理一郎 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;G11C16/08;G11C16/26;H01L27/11521;H01L27/11551
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王天尧;李秀芸
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本说明书公开提供编码型快闪存储器及其制造方法,本发明的编码型快闪存储器中,一个存储单元包含一个记忆晶体管与一个选择晶体管。在硅基板上形成共通源极并形成主动区,主动区在垂直方向延伸,而与共通源极电连接。形成存储晶体管的控制栅极与选择晶体管的选择栅极线而包围主动区的侧部,主动区的顶部与位线电连接。
搜索关键词: 编码 闪存 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种编码型快闪存储器,其特征在于,包含:基板;导电区,形成于所述基板上;多个柱状部,从所述基板的表面向垂直方向延伸,且包含主动区;以及存储晶体管及选择晶体管,包围各柱状部的侧部;其中在所述存储晶体管的栅极连接控制栅极,在所述选择晶体管的栅极连接选择栅极;所述柱状部的一个端部电连接于位线,所述柱状部的另一个端部电连接于所述导电区;以及一个存储单元包含一个存储晶体管与一个选择晶体管。
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