[发明专利]一种具有改进性能的半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有改进性能的半导体器件，包括一硅衬底，硅衬底具有第一表面、第二表面，其第一表面上依次设有介电层、第一氧化层、硅顶层、第一掩模层，其第二表面上依次设有第二氧化层、阻挡层、第二掩模层，介电层上设有贯穿其的阱区，阱区内填充有氮化物，阻挡层上设有贯穿其的凹陷区，凹陷区内部进行真空处理。本发明通过将阱区设置在介电层上，且填充氮化物，使得介电层降低对半导体器件形成过程的影响，同时阱区的设置，避免硅衬底与硅顶层间形成的固有结电容对硅衬底中载流子的影响，进而提高信号通过半导体器件的效率，且降低信号的失真率。

主权项

1.一种具有改进性能的半导体器件，其特征在于，包括一硅衬底(1)，所述硅衬底(1)具有第一表面、第二表面，其第一表面上依次设有介电层(2)、第一氧化层(4)、硅顶层(5)、第一掩模层(6)，其第二表面上依次设有第二氧化层(7)、阻挡层(8)、第二掩模层(10)，所述介电层(2)上设有贯穿其的阱区(3)，所述阱区(3)内填充有氮化物，所述阻挡层(8)上设有贯穿其的凹陷区(9)，所述凹陷区(9)内部进行真空处理。