[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201811497063.7 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109671720B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 杨维;袁广才;宁策;卢鑫泓;周天民;杨昕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开涉及显示技术领域,提出一种阵列基板的制作方法,该制作方法包括:在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组;在第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组;在第一绝缘层组以及第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出第一半导体图案,并对露出的第一半导体图案进行退火且去除第一半导体图案表面的氧化层;在第一过孔内形成连接导线;在第二绝缘层组形成第二过孔以露出第二半导体图案,并在第二过孔内形成第一源极和第一漏极,使第一源极或第一漏极覆盖连接其中一个连接导线。使用该方法在对第一半导体图案进行退火时不会对第一源极和第一漏极产生影响,避免影响到电阻和显示屏的信赖性。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组;在所述第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组;在所述第一绝缘层组以及所述第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出所述第一半导体图案,并对露出的所述第一半导体图案进行退火且去除所述第一半导体图案表面的氧化层;在所述第一过孔内形成连接导线;在所述第二绝缘层组形成第二过孔以露出所述第二半导体图案,并在所述第二过孔内形成第一源极和第一漏极,使所述第一源极或所述第一漏极覆盖连接其中一个所述连接导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的