[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811500292.X | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109904084A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 樱井大辅;玉利健;越智正三 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置的制造方法中具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，以使得覆盖所述电极焊盘面；开口工序，对在所述电极焊盘面上的所述阻挡件进行开口，以使得所述电极焊盘面从所述阻挡件露出；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡件 电极焊盘 半导体元件 半导体装置 电极 焊盘面 开口 剥离工序 固化工序 开口工序 突起电极 镀敷液 镀敷 固化 填充 制造 剥离 施加 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，以使得覆盖所述电极焊盘面；开口工序，对在所述电极焊盘面上的所述阻挡件进行开口，以使得从所述阻挡件露出所述电极焊盘面；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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