[发明专利]一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件有效
| 申请号： | 201811500564.6 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109524283B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张运俭;马宏舸;丁恩燕;秦风;赵刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/24 | 分类号： | H01J23/24 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，该方案包括有圆波导外筒、同轴内导体和阴极；圆波导外筒套设在同轴内导体外部；阴极设置在同轴内导体前端发射环形电子束；圆波导外筒上沿电子束传输方向依次设置有L波段器件和S波段器件；阴极发出的环形电子束在一次脉冲内经过L波段器件和S波段器件后能够同时辐射产生L，S波段的高功率微波。本发明大幅度降低了高功率微波源系统体积、重量，并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 引导 磁场 紧凑型 功率 微波 器件 | ||
【主权项】：
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