[发明专利]一种具有特殊暴露面的异质结的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有特殊暴露面异质结的制备方法，属于光催化材料的制备方法技术领域。选取带隙可调节的半导体Co3O4通过液氮辅助热氧化法与2D g‑C3N4来构建一种具有特殊暴露晶面的Co3O4/2D g‑C3N4异质结光催化剂，来扩大光吸收范围，增加活性位点密度，以提高光催化CO2还原能力。事实与结果证明，该异质结能大大提升光催化性能以及增强对CO2的吸附和转化。

主权项

1.一种具有特殊暴露面的异质结的制备方法，所述有特殊暴露面的异质结为Co₃O₄/2D g‑C₃N₄异质结光催化材料，其特征在于，具体步骤如下：(1)称取三聚氰胺，以一定的升温速率和煅烧温度在马弗炉内进行高温煅烧，得到体相C₃N₄，再以一定的升温速率和煅烧温度进行多次煅烧，得到2D g‑C₃N₄；(2)称取一定量的Co(NO₃)₂·6H₂O和聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)溶解于乙醇水溶液中，搅拌后缓慢滴入NaOH溶液，将得到的混合物转移到高压反应釜内高温水热反应，反应后自然冷却，洗涤，干燥，得到合成Co₃O₄的中间体β‑Co(OH)₂；(3)将β‑Co(OH)₂和2D g‑C₃N₄以一定比例在水中混合，形成均匀混合物，用液氮冷冻，再经干燥后放在马弗炉内以一定的温度煅烧即得到氧化钴/氮化碳2D异质结光催化材料。