[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201811502207.3 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN110299302B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 西冈贤太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01B11/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,可正确地测量各位置的膜厚,而且可编入成膜工序中的膜厚测量技术。本发明的基板处理装置(1)将由测距部(6)所测量的至基板主面(Sa)为止的第1距离、及至形成在基板主面(Sa)上的膜为止的第2距离与由位置检测部(55)所得的测距部(6)的位置检测结果建立对应来取得。基于这些信息,根据相对于基板(S)的测距部(6)的位置彼此相同时的第1距离与第2距离的差来算出对应于此位置的膜的厚度。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其是在基板的主面上形成涂布液的膜的基板处理装置,其包括:喷嘴,一面从狭缝状的喷出口喷出所述涂布液,一面相对于所述基板相对移动来将所述涂布液涂布在所述主面上而形成所述膜;测距部,面对所述主面来配置,测量至所述主面为止的第1距离及至涂布在所述主面上的所述膜的表面为止的第2距离;移动部,使所述基板与所述测距部在沿着所述主面的移动方向上相对移动;位置检测部,在所述移动方向上,检测相对于所述基板的所述测距部的位置;信息取得部,取得将所述位置检测部所检测的所述测距部的位置与所述测距部在所述位置上所测量的所述第1距离建立了对应的第1信息、及将所述位置检测部所检测的所述测距部的位置与所述测距部在所述位置上所测量的所述第2距离建立了对应的第2信息;以及膜厚算出部,基于所述第1信息及所述第2信息,根据相对于所述基板的所述测距部的位置彼此相同时的所述第1距离与所述第2距离的差来算出对应于所述位置的所述膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造