[发明专利]基于互补型场效晶体管的电路有效
| 申请号： | 201811503786.3 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110034116B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | B·C·保罗;谢瑞龙;帕尼特·哈瑞汉德拉·苏瓦纳 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于互补型场效晶体管的电路，提供包括多个纳米片场效晶体管的结构和电路以及此类结构和电路的形成方法。互补式场效晶体管包括具有源极/漏极区的第一纳米片晶体管及具有源极/漏极区的第二纳米片晶体管，第二纳米片晶体管的源极/漏极区堆叠在第一纳米片晶体管的源极/漏极区上方。接触部垂直延展以连接互补式场效晶体管的第一纳米片晶体管的源极/漏极区及互补式场效晶体管的第二纳米片晶体管的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 互补 型场效 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包含：第一互补式场效晶体管，包括具有源极/漏极区的第一纳米片晶体管及具有源极/漏极区的第二纳米片晶体管，该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区堆叠在该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区上方；以及接触部，垂直延展以连接该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区及该第一互补式场效晶体管的该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
