[发明专利]一种铂纳米锥阵列结构的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201811504013.7 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109468668B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴天准;曾齐 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C25D3/50 | 分类号： | C25D3/50;B82Y40/00;G01N27/30;B01J23/42;B01J37/34 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铂纳米锥阵列结构的制备方法，包括：提供铂盐溶液，向所述铂盐溶液中加入晶型促进剂，混合均匀后形成电沉积溶液，其中，所述晶型促进剂包括无机铵盐和有机胺类中的至少一种；提供导电基体，将所述导电基体置于所述电沉积溶液中，采用电沉积的方法在所述导电基体表面制得铂纳米锥阵列结构。通过加入合适的晶型促进剂，控制电沉积过程中形成的铂纳米阵列形貌，制得形貌均匀一致的铂纳米锥阵列结构，提高其电化学性能和催化性能，同时保证了生物兼容性；该制备方法简单，适用于在各种规格的器件表面制备铂纳米锥阵列结构，提高器件在传感器领域、催化领域以及神经接口领域中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：提供铂盐溶液，向所述铂盐溶液中加入晶型促进剂，混合均匀后形成电沉积溶液，其中，所述晶型促进剂包括无机铵盐和有机胺类中的至少一种；提供导电基体，将所述导电基体置于所述电沉积溶液中，采用电沉积的方法在所述导电基体表面制得铂纳米锥阵列结构。
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