[发明专利]一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置在审
申请号: | 201811504789.9 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109597773A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 徐玉坤 | 申请(专利权)人: | 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
主分类号: | G06F12/16 | 分类号: | G06F12/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种SSD的数据掉电保护方法、系统及装置,包括:分别在DRAM和FRAM中写入同步数据;当SSD异常掉电,将缓存数据保存到所述FRAM中,并在所述FRAM中写入异常掉电标志;其中,所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。由于本申请中DRAM中的数据已经作为同步数据写入FRAM中,在SSD异常掉电时只需要再将缓存数据保存到FRAM中即可,而缓存数据较少,保存到FRAM的过程耗电量较少,除超级电容外的其他电容就可以作为供电模块为该保存动作提供电量,避免了使用超级电容时焊接复杂、占用空间大的问题。本申请还相应公开了一种SSD,具有相同的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 异常掉电 缓存数据保存 数据掉电保护 写入 超级电容 缓存数据 同步数据 申请 内部寄存器 系统及装置 动作提供 供电模块 占用空间 耗电量 保存 电容 焊接 电量 | ||
【主权项】:
1.一种SSD的数据掉电保护方法,其特征在于,包括:分别在DRAM和FRAM中写入同步数据;当SSD异常掉电,将缓存数据保存到所述FRAM中,并在所述FRAM中写入异常掉电标志;其中,所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。
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