[发明专利]一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811504840.6 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109456054A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王根水;贾佳慧;郭少波;姚春华;曹菲;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述BNT基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xBa(Ni0.5Nb0.5)O3，其中0＜x≤0.04。 | ||
| 搜索关键词： | 热释电陶瓷材料 基无 低介电损耗 制备 化学组成 | ||
【主权项】：
1.一种BNT基无铅热释电陶瓷材料，其特征在于，所述BNT基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xBa(Ni0.5Nb0.5)O3，其中0＜x≤0.04。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811504840.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
