[发明专利]一种不对称苯并噻吩衍生物及其制备方法与应用

摘要

本发明提供一种不对称苯并噻吩衍生物及其制备方法与应用。所述不对称苯并噻吩衍生物，其结构式如式Ⅰ或式Ⅱ所示。本发明提供的TBTBT1和TBTBT2类不对称分子是优良的半导体材料。本发明合成方法较为简单，不对称的分子构型对于研究分子结构与场效应性能之间的关系具有一定的指导意义，对进一步设计合成不对称分子结构的高性能有机半导体提供了依据。

主权项

1.式Ⅰ或式Ⅱ所示化合物：式Ⅰ中，R1为下述基团中的任意一种：CnH2n+1的烷基,n为1‑16中的整数；H，苯基，吡啶基，噻吩基，硒吩基，呋喃基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基，硒吩并苯基，以及对位被CnH2n+1(n＝1‑16)的烷基取代的苯基，吡啶基，噻吩基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基和硒吩并苯基；R2为下述基团中的任意一种：CnH2n+1的烷基,n为1‑16中的整数；H，苯基，吡啶基，噻吩基，硒吩基，呋喃基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基，硒吩并苯基，及对位被CnH2n+1(n＝1‑16)的烷基取代的苯基，吡啶基，噻吩基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基和硒吩并苯基；式Ⅱ中，R3为下述基团中的任意一种：CnH2n+1的烷基,n为1‑16中的整数；H，苯基，吡啶基，噻吩基，硒吩基，呋喃基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基，硒吩并苯基，及对位被CnH2n+1(n＝1‑16)的烷基取代的苯基，吡啶基，噻吩基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基和硒吩并苯基；R4为下述基团中的任意一种：CnH2n+1的烷基,n为1‑16中的整数；H，苯基，吡啶基，噻吩基，硒吩基，呋喃基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基，硒吩并苯基，及对位被CnH2n+1(n＝1‑16)的烷基取代的苯基，吡啶基，噻吩基，萘基，喹啉基，苯并噻吩基，苯并呋喃基，苯并硒吩基，噻吩并苯基，呋喃并苯基和硒吩并苯基。