[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法有效
申请号: | 201811510747.6 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109326701B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 张洪波;吴化胜;刘亚柱 | 申请(专利权)人: | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/30;H01L33/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明提供一种发光二极管芯片制备方法,该制备方法包括,提供一衬底;于所述衬底上形成第一半导体层;于所述第一半导体层上形成发光层;于所述发光层上形成第二半导体层;于所述第二半导体层上形成透明导电层;于所述第一半导体层上形成第一电极,所述透明导电层上形成第二电极,其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层,所述多个导电层中的最外一层为金属钛层,所述金属钛层的厚度为 |
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搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供一衬底;于所述衬底上形成第一半导体层;于所述第一半导体层上形成发光层;于所述发光层上形成第二半导体层;于所述第二半导体层上形成透明导电层;于所述第一半导体层上形成第一电极,所述透明导电层上形成第二电极,其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层,所述多个导电层中的最外一层为金属钛层,所述金属钛层的厚度为
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