[发明专利]一种半导体包裹金属纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，涉及一维核壳结构纳米材料。以水热法合成质量高的纯金属纳米线，将半导体(如AlN、InN、GaN、ZnO等)材料直接包裹于金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根纳米线上实现了金属‑半导体接触。这种新型的核壳纳米材料结合了半导体与导体的特性，可以用于制作功能性异质结构的半导体器件，实现纳米线网络上的纳米器件，在光电信息领域可以得到广泛的应用。

主权项

1.一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)基于水热法合成金属纳米线，后续往反应装置中加入对应的金属前驱物，使金属纳米线表面包裹上对应的金属壳层，得到表面光滑且均匀的核壳结构纳米线；2)将包裹金属壳层的金属纳米线超声、离心，使金属纳米线分散在分散液中，经离心后把附着在金属纳米线表面的附着杂物分离，再将得到的纳米线保存在分散液备用；3)将包裹金属壳层的金属纳米线均匀的分布在衬底上，制成纳米线网络薄膜；然后通过对核壳结构纳米线进行氧化或者氮化的处理，将核壳结构纳米线的表面金属层转化为化合物半导体材料层；或者直接在金属纳米线上直接包裹半导体壳层；4)最后，在一定的温度和气氛中对氮化后或者氧化后的半导体壳层进行热处理，以提高其半导体层的晶体质量，最终获得均匀半导体壳层包裹的核壳结构纳米线。