[发明专利]一种低触发电压硅控整流器及制备方法在审
| 申请号： | 201811512892.8 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109768077A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低触发电压硅控整流器及制备方法，通过在第二导电类型的外延层下方形成多个间隔设置的第一导电类型的第一子注入区和第二导电类型的第二子注入区，从而增加了外延层与第一导电类型的第一阱区之间的结面积，从而大大提高电流通过能力，降低硅控整流器的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 硅控整流器 触发电压 第一导电类型 导电类型 外延层 注入区 制备 电流通过 间隔设置 阱区 | ||
【主权项】：
1.一种低触发电压硅控整流器，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区注入形成于所述衬底；栅极结构，所述栅极结构形成于所述第一阱区上；第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区注入形成于所述第二阱区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区两侧形成有隔离区；第一导电类型的第三掺杂区和第二导电类型的第四掺杂区，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区注入形成于所述第一阱区，所述第三掺杂区两侧形成有隔离区，所述第四掺杂区与所述栅极结构连接；第二导电类型的外延层，所述外延层形成于所述第一阱区和所述第二阱区的交界处，所述外延层一端与位于所述第二阱区的浅槽隔离区连接，所述外延层另一端与所述栅极结构连接；注入区，所述注入区形成于所述外延层之下的第一阱区，所述注入区包括间隔设置的第一导电类型的第一子注入区和第二导电类型的第二子注入区，所述第一子注入区和所述第二子注入区的一端均与所述外延层连接；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与电流输入端连接，所述栅极结构和所述第三掺杂区与接地端连接。
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