[发明专利]半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体激光器解理、装夹、平放入化学气相沉积设备中并抽至高真空，开始膜层沉积过程；衬底加热并控温在300℃；分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，在计算机控制下完成反射膜的制备；把镀膜夹具反面，设定氮化硅需要的气体比例和膜厚，在计算机控制下完成透射膜的制备。本发明半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法可以实现在不改变膜系设计、膜系内每层的厚度和薄膜材料的基础上，可实现不同激射波长、不同等效折射率的半导体激光器的不同的反射率和透射率的制备，制备工艺简单，膜层的质量稳定可靠。

主权项

1.一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将半导体激光器的前后两腔面解理，然后放入真空设备中开始膜层沉积；在半导体激光器的一腔面分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，在计算机控制下完成反射膜的制备；在半导体激光器的另一腔面设定氮化硅需要的气体比例和膜厚，在计算机控制下完成透射膜的制备。