[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有由器件隔离层限定的多个有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上延伸跨越所述多个有源区，并且以相同的间隔在第二方向上布置，所述第二方向垂直于所述第一方向；掺杂结，所述掺杂结具有杂质并布置在所述多个有源区，所述掺杂结包括多个第一结和多个第二结，所述多个第一结中的每一个第一结布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，所述多个第二结中的每一个第二结布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，在所述多个第二结中的每一个第二结中包括埋式半导体层；多个位线结构，所述多个位线结构沿所述第二方向延伸并以相同的间隔在所述第一方向上布置，使得所述多个位线结构中的每一个位线结构沿所述第二方向与所述多个第一结中的相应的第一结接触；以及多个埋式接触，所述多个埋式接触在所述第一方向和所述第二方向上布置成矩阵形状，使得所述多个埋式接触中的每一个埋式接触在相邻的位线结构之间与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及包括在所述多个第二结中的该相应的一个第二结中的所述埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。